semiconductor group 1 1997-11-01 gaas-ir-lumineszenzdioden-zeilen gaas infrared emitter arrays wesentliche merkmale l gaas-ir-lumineszenzdiode, hergestellt im schmelzepitaxieverfahren l hohe zuverl?ssigkeit l geh?usegleich mit bpx 80-serie anwendungen l miniaturlichtschranken fr gleich- und wechsellichtbetrieb l lochstreifenleser l industrieelektronik l messen/steuern/regeln features l gaas infrared emitting diode, fabricated in a liquid phase epitaxy process l high reliability l same package as bpx 80 series applications l miniature photointerrupters l punched tape-readers l industrial electronics l for control and drive circuits ld 260 ld 262 ... ld 269 ma?e in mm, wenn nicht anders angegeben/dimensions in mm, unless otherwise specified. fez06365 feo06367 geo06367 7.4 7.0 0.7 0.6 collector (bpx 83) cathode (ld 263) 2.54 mm spacing 1.5 2.1 2.7 2.5 3.2 3.6 3.0 3.5 1.9 1.7 position chip 0.25 0.15 0 ... 5 1.4 1.0 a 0.4 0.4 0.5 a
semiconductor group 2 1997-11-01 ld 260 ld 262 ... ld 269 grenzwerte ( t a = 25 c) maximum ratings typ type ired pro zeile per row ma? a dimension a bestellnummer ordering code geh?use package min. max. ld 262 2 4.5 4.9 q62703-q70 zeilenbauform, leiterbandgeh?use, klares epoxy-gie?harz, linsenf?rmig, anschlsse im 2.54-mm-raster ( 1 / 10 ), kathodenkennzeichnung: nase am l?tspie? lead frame arrays, transparent epoxy resin lens, solder tabs, lead spacing 2.54 mm ( 1 / 10 ), cathode marking: projection at solder lead ld 263 3 7 7.4 q62703-q71 ld 264 4 9.6 10 q62703-q72 ld 265 5 12.1 12.5 q62703-q73 ld 266 6 14.6 15 q62703-q74 ld 267 7 17.2 17.6 q62703-q75 ld 268 8 19.7 20.1 q62703-q76 ld 269 9 22.3 22.7 q62703-q77 ld 260 10 24.8 25.2 q62703-q78 bezeichnung description symbol symbol wert value einheit unit betriebs- und lagertemperatur operating and storage temperature range t op ; t stg C 40 ... + 80 c sperrschichttemperatur junction temperature t j 80 c sperrspannung reverse voltage v r 5v durchla?strom forward current i f 50 ma sto?strom, t 10 m s, d = 0 surge current i fsm 1.6 a verlustleistung power dissipation p tot 70 mw w?rmewiderstand thermal resistance r thja r thjl 750 650 k/w k/w
ld 260 ld 262 ... ld 269 semiconductor group 3 1997-11-01 kennwerte ( t a = 25 c) characteristics bezeichnung description symbol symbol wert value einheit unit wellenl?nge der strahlung wavelength at peak emission i f = 50 ma, t p = 20 ms l peak 950 nm spektrale bandbreite bei 50 % von i max spectral bandwidth at 50 % of i max i f = 50 m a, t p = 20 ms dl 55 nm abstrahlwinkel half angle j 15 grad deg. aktive chipfl?che active chip area a 0.25 mm 2 abmessungen der aktive chipfl?che dimension of the active chip area l b l w 0.5 0.5 mm abstand chipoberfl?che bis linsenscheitel distance chip surface to lens top h 1.3 ... 1.9 mm schaltzeiten, i e von 10 % auf 90 % und von 90 % auf 10%, bei i f = 50 ma, r l = 50 w switching times, i e from 10 % to 90 % and from 90 % to 10 %, i f = 50 ma, r l = 50 w t r , t f 1 m s kapazit?t, v r = 0 v capacitance c o 40 pf durchla?spannung, i f = 50 ma, t p = 20 m s forward voltage v f 1.25 ( 1.4) v sperrstrom, v r = 5 v reverse current i r 0.01 ( 1 )m a gesamtstrahlungsflu?, i f = 50 ma, t p = 20 ms total radiant flux f e 9mw temperaturkoeffizient von i e bzw. f e , i f = 50 ma temperature coefficient of i e or f e , i f = 50 ma tc i C 0.55 %/k temperaturkoeffizient von v f , i f = 50 ma temperature coefficient of v f , i f = 50 ma tc v C 1.5 mv/k temperaturkoeffizient von l peak , i f = 50 ma temperature coefficient of l peak , i f = 50 ma tc l 0.3 nm/k strahlst?rke, i f = 50 ma, t p = 20 ms radiant intensity i e typ. 5 ( 3 2.5) mw/sr
semiconductor group 4 1997-11-01 ld 260 ld 262 ... ld 269 relative spectral emission i rel = f ( l ) forward current i f = f ( v e ), single pulse, t p = 20 m s ohrd1938 l rel i 0 880 920 960 1000 nm 1060 20 40 60 80 % 100 v ohr01042 f f i 1 1 10 0 10 -1 10 10 -2 a 1.5 2 2.5 3 3.5 4 v 4.5 max. typ. radiant intensity single pulse, t p = 20 m s permissible pulse handling capability i f = f ( t ), t c = 25 c, duty cycle d = parameter i e i e 100 ma = f ( i f ) i ohr01039 f -1 10 10 0 1 10 2 10 10 -2 -1 10 0 10 a 10 1 i e i e (100 ma) 10 i f ohr02182 t 1 2 10 3 10 4 10 ma -5 10 10 -4 -3 10 -2 10 -1 10 0 10 s t t = d f i t t dc 0,5 0,2 0,1 0,05 0 0,005 0,01 0,02 = d max. permissible forward current i f = f ( t a ) t ohr01124 a 0 f i 0 20406080100 c ma 10 20 30 40 50 60 70 80 t l , r thjl = 650 k/w = 750 k/w thja r radiation characteristics i rel = f ( j ) ohr01878 020 40 60 80 100 120 0.4 0.6 0.8 1.0 100 90 80 70 60 50 0 10 20 30 40 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 j
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